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This paper focuses on recent results on the optical properties of self-assembled quantum dots involving type-I InGaAs/GaAs and type-II InP/GaAs interfaces. In the first part, we focus on the InGaAs/GaAs quantum dots, that were used to study the influence of a two-dimensional electron gas on the optical emission of single quantum dots. In the second part, we present the results on type-II InP/GaAs quantum dots. In this system, we observed an experimental evidence indicating that the model used to interpret the blue shift of the type-II quantum well optical emission cannot be applied to type-II quantum dots.

We present a theoretical study of the spin dynamics of site-localized excitons in semiconductor quantum wells driven by the electron-hole interaction. Using a simple model for the distribution of sites dephasing leading to a strong spin polarization decay.

We calculate the characteristic current-voltage curve of a tunneling device based on semimagnetic semiconductor materials. The device is a heterostructure with layers of Cd1<FONT FACE=Symbol>-</FONT> x Mn x Te in which the magnetic ions Mn2+ interact strongly with the conducting electrons via the s-d exchange interaction. Thermal fluctuations of Mn2+ magnetic moments cause spin-dependent electron scattering that modifies the characteristic current-voltage curve. Our calculation shows how this electron-ion scattering is expected to affect the spin dynamics in transport measurements.

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